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J-GLOBAL ID：200903040977489013

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  渡辺 明禎 ,  内田 憲治 ,  赤松 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203057
Publication number (International publication number)：1997051139
Application date： Aug. 09, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、低閾値で動作する青紫色波長域のレ-ザ素子を実現させることにある。【構成】 (0001)C面を有するサファイア基板1上に中央部にストライプ状の窓をあけたTiの窒化物TiN<SB>x</SB>(0<x≦1)のパタ-ン2を形成しておき、絶縁膜マスクパタ-ン3を利用して、選択成長技術によりAlGaInN材料からなる導波路共振構造を作製する。導波路構造に関しては、発光活性層6を光導波層に埋め込んだ形であるBH構造を構成できる。次に、TiN<SB>x</SB>(0<x≦1)に接触する形でn側電極Ti/Auを蒸着し、p側電極にはNi/Auを蒸着した後、劈開することにより素子を得る。【効果】 本実施例では、n型の電極材料に高融点のTiの窒化物TiN<SB>x</SB>(0<x≦1)材料を予め形成しておくことにより、選択成長を一回行うだけで、実屈折率差により基本横モ-ドを制御してレ-ザ光を安定に伝搬する埋め込み(BH)導波路構造を作製できた。本素子は、電流注入により410〜430nmの波長範囲でレ-ザ発振した。また、絶縁膜マスクパタ-ンを工夫することにより、さらに低閾値動作が可能であった。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に設ける発光素子において、光導波路構造を作製する際に、予めTi或いはTiの窒化物を設けておき、さらにそれと一部接触する形で結晶層を設け、禁制帯幅の大きな光導波層と禁制帯幅の小さな発光活性層からなる光導波路構造を構成していることを特徴とする半導体レ-ザ素子。