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J-GLOBAL ID：200903040984122788

フォトマスクおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： 鈴木 恵友
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000086925
Publication number (International publication number)：2001272769
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】部分的に厚みの異なるレジストパターンを形成する。【解決手段】まず、ガラス基板11の表面にフラーレンを蒸着させて、フラーレン蒸着膜13を形成する。そして、このフラーレン蒸着膜13に対して、各領域13a,13b,13cごとに所定量のビームを照射した後、フラーレン蒸着膜13に有機溶剤を供給して、未反応のフラーレンを溶解して除去することにより、ガラス基板11上に部分的に厚みが異なるマスクパターン12が得られる。こうして得られるマスクパターン12を用いて半導体基板31上のレジスト膜36を露光し、その露光後のレジスト膜36を現像することにより、絶縁膜32上に、マスクパターン12に対応して部分的に厚みの異なるレジストパターン37が得られる。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクであって、透明な基板の表面に、フラーレンポリマーからなるマスクパターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

G03F 1/08 J ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/302 J

F-Term (16)：

2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09 ,  5F004BA17 ,  5F004BB03 ,  5F004EA01 ,  5F004EA04 ,  5F004EA08 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F004EB07 ,  5F046AA20 ,  5F046AA26 ,  5F046CB17