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J-GLOBAL ID：200903040988293471

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 大島 洋一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291873
Publication number (International publication number)：1993335370
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 パッドベッドを容易に形成すると共に、ボンデイングパッド部での膜剥れを防止するためのパッドベッドを保護することによって絶縁膜に対する付着力を向上させた半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ボロンを含むBPSG絶縁膜4に形成したコンタクト孔内に形成されたコンタクトプラグおよび配線のボンデイングパッド部30の下に形成されたパッドベッドとを3層に形成されたポリシリコン膜7、8、9から形成することによって、工程増を押さえることができる。このパッドベッドに保護膜を設けることも可能である。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたボロンを含む絶縁膜と、前記ボロンを含む絶縁膜の上またはこの絶縁膜に形成した溝内に設けられたパッドベッド層と、前記ボロンを含む絶縁膜に形成されたコンタクト孔と、前記コンタクト孔内に埋設され、少なくとも一部が前記パッドベッド層と同じ材料からなるコンタクトプラグと、前記ボロンを含む絶縁膜上に形成され、前記パッドベッド層の上に配置されているボンディングパッド部を有し、前記コンタクトプラグと接触している配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90