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J-GLOBAL ID：200903040992065840
不揮発性ICメモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259605
Publication number (International publication number)：1993074178
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】本来ブロック単位でしか消去更新ができない不揮発性ICメモリを改良し、ワード単位で更新可能で、あたかもRAMの如く使用できる大容量の不揮発性ICメモリを実現する。【構成】PROM領域1の他に、ブロック相当のRAM領域2を設け、アドレスAに対応するブロックをRAM領域2へ一旦読出し、これの該当個所をデータDで更新した後、PROM領域1の対応するブロックへ書き戻すことで、ワード単位での書き換えを可能とする。
Claim (excerpt)：
ブロック単位でデータの消去ができる再書込み可能なPROM領域を有する不揮発性ICメモリにおいて、前記PROM領域内のブロックの容量以上の容量のRAMと、ブロックアドレスを受けて前記PROM領域内の対応するブロックを選択するブロックアドレスデコーダと、ローカルアドレスを受けて前記選択されたブロック内及び前記RAM内の対応する該当個所を選択するローカルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けてラッチするアドレスラッチと、外部からのデータを受けてラッチするデータラッチと、アドレスコントロール手段とリードコントロール手段とライトコントロール手段とを有するコントローラとを備え、前記リードコントロール手段は、前記アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に基づいて前記PROM領域内の該当個所を選択し、それを読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロール手段を制御して前記PROM領域内で前記アドレスラッチの保持値に対応するブロックのデータを読み出し、そのデータを前記RAMに記憶し、前記RAMの該当個所を前記データラッチの保持値で更新し、前記アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に基づいて前記の読出しブロックに前記RAMのデータを再書込みすることを特徴とする不揮発性ICメモリ。
Patent cited by the Patent：
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