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J-GLOBAL ID：200903040995655206

半導体量子井戸光素子

Inventor： 菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250319
Publication number (International publication number)：1996116128
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ等の半導体量子井戸光素子に関し、窒素化合物半導体を用いた光学遷移の確率が高い半導体量子井戸光素子を提供する。【構成】 In0.3 Ga0.7 N量子井戸層と、このIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層を挟みIn0.3 Ga0.7 Nよりも禁制帯幅が大きいIn0.1 Al0.9 N障壁層からなる半導体量子井戸構造を活性層として具える構造を用いる。この量子井戸構造をIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層また、In0.1 Al0.9 N障壁層よりも禁制帯幅が大きいAlNクラッド層によって挟むことができる。量子井戸層をInNによって構成することができ、また、障壁層を量子井戸層よりも禁制帯幅が大きい組成を有するAlGaN,InAlN,AlGaInN,AlN等によって構成することができる。

Claim (excerpt)：

InN井戸層と、該InN井戸層を挟みInNよりも禁制帯幅が大きいInAlN障壁層からなる半導体量子井戸構造を活性層として具えることを特徴とする半導体量子井戸光素子。