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J-GLOBAL ID：200903041006765657

パターン形成方法及びパターン形成装置

Inventor： 老泉 博昭 ,  小川 太郎 ,  山梨 弘将 ,  伊東 昌昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996125388
Publication number (International publication number)：1997312247
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【解決手段】 グラフトモノマーのラジカル連鎖反応による高感度化を行った後、酸素の影響を受けず制御しやすいイオン反応によりシリコン化合物などの有機金属化合物の導入を行う。【効果】 高感度でかつ高精度なパタ-ン形成が行われるようになった。

Claim (excerpt)：

基板上のレジストに、光、紫外線、真空紫外線、極紫外線、X線、イオン線もしくは電子線で所定のパターンを照射した後、該レジストの照射部に少なくとも一つの不飽和結合と一つの官能基を有する第一の物質の少なくとも1種類をグラフトまたはブロック重合させた後、該レジストのグラフトまたはブロック重合部に少なくとも1種類の第二の物質を反応させて所定パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512

FI (2)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/38 512