Pat

J-GLOBAL ID：200903041018579018

樹脂封止型半導体装置、電子回路装置およびこの製造方法

Inventor： 太田 英男 ,  奥山 哲生 ,  藤枝 新悦 ,  善積 章 ,  山田 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295223
Publication number (International publication number)：1996153832
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板の反りを低減し、実装時において回路基板との接続の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 基板と、基板表面に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂層とを具備し、樹脂層は基板に対し半導体素子が配置された側のみに配置された樹脂封止型半導体装置である。前記樹脂封止型半導体装置は、基板上に半導体素子を配置する工程と、シート状の未硬化樹脂を半導体素子上に配置する工程と、金型内で樹脂シートを硬化成形する工程とからなる製造方法で製造される。前記樹脂層は、成形後の室温における複素弾性率が6.5×109 Pa以下であって、力学正接損失Tanδが0.05以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板と、基板表面に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂層とを具備し、樹脂層は基板に対し半導体素子が配置された側のみに配置された樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封止型半導体装置は、基板上に半導体素子を配置する工程と、シート状の未硬化樹脂を半導体素子上に配置する工程と、金型内で樹脂シートを硬化成形する工程とからなる製造方法で製造され、かつ、前記樹脂層は、成形後の室温における複素弾性率が6.5×109 Pa以下であって、力学正接損失Tanδが0.05以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 23/30 R ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 H