Pat
J-GLOBAL ID:200903041025167612
ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999083403
Publication number (International publication number):2000275840
Application date: Mar. 26, 1999
Publication date: Oct. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】 深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、良好な感度、解像度を有し、且つ基板との密着性が良好で、従来のレジストに使用していた現像液(例えば2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)に対しても良好な現像性を示すポジ型フォトレジスト組成物を提供することである。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、多環型の脂環式基と酸分解性基とを有し、酸の作用により分解してアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び特定構造の環状酸無水物化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)多環型の脂環式基と酸分解性基を有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、並びに(C)下記一般式(I)、(II)、及び(III)で表される化合物群から選択される少なくとも1種の環状酸無水物化合物、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】上記式中:A1は、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、又はアリーレン基を表す。ここで、これらの基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、また置換基を有していてもよい。A2、A3は、互いに結合して脂環式環構造又は芳香環構造を形成する構成成分を表す。ここで、これら環構造はヘテロ原子を含んでいてもよい。A4は、3価の脂肪族飽和炭化水素基、脂肪族不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を表す。ここで、これらの基はヘテロ原子を含んでいてもよく、また置換基を有していてもよい。nは、2以上の整数である。nが2の場合は、Zは-O-、-S-、-SO2-、-CO-O-、もしくはこれらを含んでもよい、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。Zは、nが3以上の整数の場合、-O-、-S-、-SO2-あるいは-CO-O-を含んでいてもよい、n価の脂肪族飽和炭化水素基、脂肪族不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を表す。ここで、これらの基は置換基を有していてもよい。
IPC (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (14):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA14
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CB52
, 2H025CC20
Return to Previous Page