レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000213021
Publication number (International publication number)：2002023354
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)及び/又は(2)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は同一又は異種のフッ素原子又は炭素数1〜10のフッ素化されたアルキル基であり、0≦a≦5、0≦b≦5の整数であり、1≦a+b≦10の範囲の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)及び/又は(2)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は同一又は異種のフッ素原子又は炭素数1〜10のフッ素化されたアルキル基であり、0≦a≦5、0≦b≦5の整数であり、1≦a+b≦10の範囲の整数である。)

IPC (13)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , C08F 20/06 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L101/00 , C09K 3/00 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027 , C07C381/14

FI (13)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , C08F 20/06 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L101/00 , C09K 3/00 K , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , C07C381/14 , H01L 21/30 502 R

F-Term (57)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC03 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4H006AA03 , 4H006AB80 , 4H006AB81 , 4H006TA02 , 4H006TB04 , 4H006TB74 , 4H006TC11 , 4H006TC31 , 4J002BG011 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002CE001 , 4J002EV216 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J100AK32P , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA16Q , 4J100BA16R , 4J100BA20Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03R , 4J100BC07Q , 4J100BC07S , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC55Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

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