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J-GLOBAL ID：200903041040101970

チューナブル半導体レーザを含む製品

Inventor： ニロイ クマー ダッタ ,  ダーヨーシュ ヴァクショーリ
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994033997
Publication number (International publication number)：1994318765
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比較的大きな変化範囲を有する簡単で、コンパクトで、波長変化が可能な半導体レーザを提供する。【構成】 明らかにされているチューナブル(波長又は焦点距離)レーザは典型的な場合、下部ブラッグ反射器(11)及び活性領域(13)を含む多層構造を含む面発光レーザである。電子-光材料(たとえば199)(典型的な場合、液晶材料)の層は、多層構造の最上部表面と接触し、電子-光材料の層に電圧を印加する手段が設けられる。一実施例において、層(199)はレーザ空洞の内側にあり、レーザ波長を変化可能にしている。別の実施例において、レーザは出力放射を焦点に合わせるZレーザで、多層構造はまた、上部ブラッグ反射器(たとえば20)を含む。この実施例において、電子-光材料(たとえば290)の層はレーザ空洞の外側にあり、レーザは変化可能な焦点距離をもつ。更に別の実施例において、波長と焦点距離の両方が変化可能である。本発明に従うレーザは、たとえば波長分割多重又は光学的に増幅された光ファイバ通信システムといった各種用途で用いると有利である。

Claim (excerpt)：

a)主表面を有し、多層半導体反射手段(11)及び前記反射手段と前記主表面との間に配置された活性領域(13)を含み、前記反射手段及び活性領域は、前記主表面と本質的に平行で、レーザ手段が放射出力を有するように、前記半導体層構造を通して電流を流せるようにする第1の接触手段(17、19)を更に含む第1の基本、b)一定量の電子-光材料(たとえば199)及びc)前記電子-光材料に電界が印加できるようにする第2の接触手段を含むチューナブルレーザ手段を含む製品において、d)一定量の電子-光材料は、前記主表面と接触する電子-光材料(199)の層を含み、e)第2の接触手段は、第1及び第2の接触層(193、195)を含み、前記第1の基体は前記第1の接触層及び第2の接触層を含む第2の基体を含み、レーザ手段は更に前記第2の基体を、前記第1の基体と固定した関係に保つための手段を更に含むことを特徴とする製品。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 波長可変面発光レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201786   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭64-001290
  
• 特開昭62-091914
  
• 特開平3-260633