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J-GLOBAL ID：200903041050180887
アクティブデバイス及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991051243
Publication number (International publication number)：1993232516
Application date： Mar. 15, 1991
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明の目的とするところは、アクティブデバイスの薄膜積層構造に関し、特に薄膜間の接着力を向上させ、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するにある。【構成】本発明は、硝子基板上に形成された第1配線層、前記第1配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第2配線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。?@硝子基板上に第1配線層を形成する工程、?A前記第1配線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュリー点以上に加熱し冷却する工程、?B前記接着層上に強誘電体層を形成する工程、?C前記強誘電体層上に第2配線層を形成する工程を少なくとも含む事を特徴とするアクティブデバイスの製造方法。
Claim (excerpt)：
硝子基板上に形成された第1配線層、前記第1配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第2配線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。
IPC (2)：
G02F 1/136 505
, G02F 1/133 550
