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J-GLOBAL ID:200903041054137285

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 倉内 義朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993316606
Publication number (International publication number):1995170024
Application date: Dec. 16, 1993
Publication date: Jul. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】放熱性にすぐれた小型化が容易な半導体レーザ装置が、安価に製造される。【構成】ステム11と一体になったヒートシンク12に半導体レーザー素子13がマウントされており、ステム11に取り付けられたキャップ18によって覆われている。キャップ18の上面には開口部18aが設けられており、キャップ18内には流体材料20がこの開口部18aから充填されている。開口部18aは、ガラス板19によって閉塞されている。
Claim (excerpt):
基材上に配置された半導体素子と、この半導体素子を覆うように基材に取り付けられたキャップと、このキャップ内に充填されて封止された流体材料と、を有し、前記キャップに流体材料の充填のための開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01S 3/18 ,  H01L 27/14

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