Pat

J-GLOBAL ID：200903041054399263

半導体記憶装置

Inventor： 中井 弘人 ,  浅野 正通 ,  加藤 秀雄 ,  徳重 芳
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068961
Publication number (International publication number)：1993274891
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明の半導体記憶装置は、選択された行が切り換ると第1の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第1のモードと、選択された行が切り換ると第2の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第2のモードとを具備する。【効果】本発明の半導体記憶装置は、ページ内の第一の所定カラムアドレスからそのページの最終アドレスまでのデータを連続したページについて読み出せるとともに、ページ内の第二の所定カラムアドレスからそのページの最終アドレスまでのデータを連続したページについて読み出すことが可能である。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配列された複数のメモリセルと各列に対してデータを一時的に格納するデータレジスタとを有し、前記メモリセルの内の選択した行に並ぶページデータを前記データレジスタに格納し、前記データレジスタ内のデータを順次外部に出力するページ読みだしモードを備える半導体記憶装置において、選択された行が切り換ると第1の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第1のモードと、選択された行が切り換ると第2の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第2のモードとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。