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J-GLOBAL ID：200903041061635266

アモルフアスシリコン系感光体を用いた電子写真装置

Inventor： 村山 仁 ,  江原 俊幸 ,  山崎 晃司 ,  植田 重教
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288041
Publication number (International publication number)：1993127408
Application date： Nov. 01, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子写真装置の光メモリを除去するとともに、帯電能低下、電位シフト等を最小限に抑える。【構成】 電子写真装置は、a-Si系感光体11の表面に近接して設けられた周波数が10kHz以下の基準波Rを用いて作成した矩形波を出力する駆動回路17により駆動される主除電光源16を含む。ドラム10は、周速を基準波Rの周波数で除した値が1mm以下となる速度で回転するように駆動される。感光層25は、表面層23最近傍で含有量が最小となる炭素原子、酸素原子または窒素原子を含有する。

Claim (excerpt)：

導電性支持体の表面上に順次積層された感光層および表面層を有するアモルファスシリコン系感光体に画像情報に応じた露光光を照射して静電潜像を形成したのち、該静電潜像を現像して前記画像情報を記録する、アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真装置において、前記アモルファスシリコン系感光体の表面に近接して設けられた、周波数が10kHz以下の基準波を用いたパルス幅変調点灯方式で駆動される、主除電光を発する主除電光源を含み、前記アモルファスシリコン系感光体が、前記基準波の周波数で除した値が1mm以下となる移動速度で前記主除電光の照射領域を移動し、前記アモルファスシリコン系感光体の前記感光層が、前記表面層最近傍で含有量が最小となる炭素原子を含有することを特徴とする、アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真装置。

IPC (3)：

G03G 5/08 303 ,  G03G 15/00 303 ,  G03G 21/00 307