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J-GLOBAL ID：200903041075014507

レジスト材料

Inventor： 矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  倉光 庸子 ,  並木 崇久 ,  五十嵐 美和
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 宇井 正一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220183
Publication number (International publication number)：1995072628
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プロセス安定性に優れた高感度かつ高解像性の化学増幅型レジスト材料を提供する。【構成】 重合体を構成成分として含み、これを溶剤に溶かした溶液を基板上に塗布し、溶剤を蒸発させて形成した膜のpH9以上のアルカリ水溶液に対する溶解速度をa、この膜を紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線のうちのいずれかで露光した後の前記溶解速度をb、露光後さらに加熱を行った後の前記溶解速度をcとしたときに、c/bが1,000より小さく、かつ、c/aが1,000より大きい化学増幅系ポジ型レジスト材料、および光酸発生剤を含み、酸ならびにこの酸とイオン対を形成可能な塩基、またはそのような酸と塩基との塩を構成成分として含む化学増幅型レジスト材料。

Claim (excerpt)：

重合体を構成成分として含み、これを溶剤に溶かした溶液を基板上に塗布し、溶剤を蒸発させて形成した膜のpH9以上のアルカリ水溶液に対する溶解速度をa、この膜を紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線のうちのいずれかで露光した後の前記溶解速度をb、露光後さらに加熱を行った後の前記溶解速度をcとしたときに、c/bが1,000より小さく、かつ、c/aが1,000より大きいことを特徴とする化学増幅系ポジ型レジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/028 ,  H01L 21/027