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J-GLOBAL ID：200903041078248754

半導体集積回路のヒューズ素子

Inventor： 崔 定▲赫▼ ,  崔 庸培
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995108911
Publication number (International publication number)：1995307389
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 小型で集積性に優れ、信頼性の高いヒューズ素子を提供する。【構成】 電流源10から電流を受ける電気容断可能なヒューズFiと、ヒューズFiを介して流れる電流を接地へ流すバイポーラトランジスタBTiと、ヒューズ切断動作でトランジスタBTiのベース-エミッタ間に順方向バイアスを提供するヒューズ選択用のMOSトランジスタSTiと、トランジスタBTiに対し並列接続され、記憶したデータの読取り時に選択的にONする読取用のMOSトランジスタRTiと、を備えたヒューズ素子とする。バイポーラトランジスタの電流増幅作用により、コレクタ端子を通じて接地へ流れる電流はトランジスタSTiを通じて流れるベース電流より多くなる。従ってトランジスタSTiを小さくしても十分大きな切断電流を流すことができる。データ読取動作ではトランジスタSTiはOFF、トランジスタRTiは選択的にONとされる。

Claim (excerpt)：

電流を流すことで選択的に電気的切断可能とされ、その電気的切断状態により所定のデータを記憶するヒューズ素子であって、電流源から電流を受ける電気容断可能なヒューズと、該ヒューズを介して流れる電流をコレクタ-エミッタ間を通じて接地へ流すバイポーラトランジスタと、該バイポーラトランジスタのベース-エミッタ間にチャネルを介して順方向バイアスを提供するMOSトランジスタと、を備えてなることを特徴とするヒューズ素子。

IPC (2)：

H01L 21/82 ,  H03K 17/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-065255
  
• 特開平2-206172
  
• 特開昭58-017663