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J-GLOBAL ID：200903041080962863
気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096870
Publication number (International publication number)：1993299356
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】成膜用基板が水平に取り付けられる構造のサセプタを反応容器内の抵抗加熱ヒータに載置して抵抗加熱ヒータとともにサセプタ軸を中心に回転させつつ反応ガスを水平に流し、基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置における前記抵抗加熱ヒータを、断線障害や、吸蔵ガス等の放出による膜質低下を生じないヒータとする。【構成】抵抗加熱ヒータを、サセプタ2の被加熱面に接触する中間板9と、高融点でかつ表面が緻密な耐熱層で覆われた炭素繊維複合材料を発熱体材料として面熱源を形成し中間板9と対向して中間板9と平行に配されるヒータエレメント4とを用いて構成し、かつ面熱源の発熱量面密度を中央部で小さく、周辺部で大きくして、ヒータエレメント4, 中間板9での周辺部冷却による温度降下を補った構成とする。
Claim (excerpt)：
成膜用基板が水平に取り付けられる構造のサセプタを、箱状または円筒状の反応容器内の抵抗加熱ヒータに載置して反応ガスを水平に流し、サセプタを抵抗加熱ヒータとともに反応ガスの流れに垂直なサセプタ軸を中心に回転させつつ加熱することにより成膜用基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、前記抵抗加熱ヒータが、サセプタの被加熱面に接触する中間板と、炭素繊維複合材料を発熱体材料として面熱源を形成し、前記中間板と対向して該中間板と平行に配されるヒータエレメントとを備えてなるとともに、該ヒータエレメントの発熱量面密度を中央部で小さく、周辺部で大きくしたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2)：
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