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J-GLOBAL ID：200903041084205404

熱電半導体材料

Inventor： 越智 康雄 ,  大原 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社オハラ
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202393
Publication number (International publication number)：1996064873
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 広い温度領域、例えば100K(約-173°C)〜1000K(約727°C)の範囲で優れた性能示数を示し、安定して使用することの可能な熱電半導体材料を提供する。【構成】 この熱電半導体材料は、Sbを含み、トリルチル型結晶構造をなす複酸化物である。また、Znを含有させてもよいし、さらに、微量置換物として、Li、Na、K、Al、Ga、In、Y、La、Ge、Sn及びBiから選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜30.0原子%の濃度で含有させてもよいし、微量置換物として、鉄族遷移金属元素(Fe、Co、Niなど)及び希土類元素(Sc及び原子番号57〜71のランタノイド)から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜30.0原子%の濃度で含有させてもよい。【効果】 従来にない広い温度範囲で安定して使用可能な熱電半導体材料を安価に提供し得るという効果を有する。

Claim (excerpt)：

アンチモンを含み、トリルチル型結晶構造をなす複酸化物であることをことを特徴とする熱電半導体材料。