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J-GLOBAL ID：200903041085842718
プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233357
Publication number (International publication number)：1994084851
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、エッチング特性を最良の状態に保ってプラズマエッチングすることができるように改良されたプラズマエッチング方法を得ることを最も主な特徴とする。【構成】 半導体ウェハを収容するプラズマ処理室3内をクリーニングする。クリーニング直後に、プラズマ処理室3内で、被エッチング物と同じ特性を有するダミーウェハ7をプラズマエッチングし、それによって、エッチング特性の安定状態を達成する。エッチング特性の安定状態が達成されたプラズマ処理室3内で、半導体ウェハ12上の被エッチング物をプラズマエッチングする。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハ上の被エッチング物をプラズマエッチングする方法であって、前記半導体ウェハを収容するプラズマ処理室内をクリーニングする工程と、前記クリーニング直後に、前記プラズマ処理室内で、前記被エッチング物と同じ特性を有するダミーウェハをプラズマエッチングし、それによって、エッチング特性の安定状態を達成する工程と、前記エッチング特性の安定状態が達成された前記プラズマ処理室内で、前記半導体ウェハ上の前記被エッチング物をプラズマエッチングする工程と、を備えたプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
