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J-GLOBAL ID：200903041087670485

p型半導体及び半導体デバイス

Inventor： 旭 良司
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 上野 登
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004039658
Publication number (International publication number)：2005235831
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 高い電気伝導度を有し、かつ可視光に対して透明であるp型半導体、及びこれを用いた半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 本発明に係るp型半導体は、Cdサイトの一部に1価の陽イオンをドープしたCdOからなる。この場合、1価の陽イオンは、Ag+、K+、Na+及びCu+から選ばれる少なくとも1種類が好ましい。また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係るp型半導体を用いたことを要旨とする。半導体デバイスは、本発明に係るp型半導体と、n型半導体とを組み合わせて用いても良い。この場合、n型半導体は、Cdサイトの一部に3価及び/又は4価の陽イオンをドープしたCdOが好ましい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Cdサイトの一部に1価の陽イオンをドープしたCdOからなるp型半導体。

IPC (7)：

H01L29/227 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

FI (6)：

H01L29/227 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  H01L29/72 Z ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 618B

F-Term (8)：

5F003BM04 ,  5F003BN01 ,  5F003BP23 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110GG04 ,  5F110HJ01