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J-GLOBAL ID:200903041108514411
高周波SMDモジユール
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
今村 辰夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991189173
Publication number (International publication number):1993014015
Application date: Jul. 03, 1991
Publication date: Jan. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、高周波SMDモジュールに関し、高周波SMDモジュールを小型化すると共に、良好なシールド性を維持できるようにすることを目的とする。【構成】 多層基板2の内部に、GNDパターン3によるシールド層を設定し、このGNDパターン3より表面側(図の上側)に高周波回路を実装する。また、高周波回路の実装部側にシールドキャップ1を被せてGNDパターン3と接続し、高周波回路をシールドするが、この場合、高周波回路の抵抗のみを、多層基板2の底面に、印刷抵抗7として配置する。この印刷抵抗7は、ブラインドスルーホール8により、他の回路部品と接続する。
Claim (excerpt):
多層基板(2)の内部に、GNDパターン(3)によるシールド層を設定し、該GNDパターン(3)より表面側の多層基板(2)に、高周波回路を実装すると共に、その上からシールドキャップ(1)を被せて、GNDパターン(3)と接続することにより、高周波回路をシールドした高周波SMDモジュールにおいて、前記高周波回路を構成する抵抗を、多層基板(2)の底面側に、印刷抵抗(7)として設定したことを特徴とする高周波SMDモジュール。
IPC (9):
H01P 3/08
, H01L 23/14
, H01P 1/00
, H03B 5/02
, H03F 3/19
, H05K 1/02
, H05K 1/16
, H05K 3/46
, H05K 9/00
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