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J-GLOBAL ID：200903041108944637
結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034541
Publication number (International publication number)：1994283432
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【構成】シリコン乃至ゲルマニウム単結晶の基板4上に、所定の原料ガスを供給して単結晶膜9、10を結晶成長する際に、予めビスマス吸着層8を形成したのち、その表面に所定の原料ガス供給して上記ビスマス吸着層8下で単結晶膜の結晶成長を行うようにした結晶成長方法。【効果】ビスマス吸着層8によって、三次元島状成長或は表面偏析を抑制して結晶成長させるため、シリコン単結晶或はゲルマニウム単結晶の基板4の表面に、従来は困難であった低不純物濃度の原子層オーダーで平坦且つ急峻なヘテロ界面を有する結晶層を形成できる。
Claim (excerpt)：
シリコン乃至ゲルマニウム単結晶の基板或はシリコン・ゲルマニウム混晶の基板上に、所定の原料ガスを供給して単結晶膜を結晶成長する際に、予めビスマス吸着層を形成したのち、その表面に所定の原料ガス供給して上記ビスマス吸着層下で単結晶膜の結晶成長を行うようにしたことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 23/02
, C30B 29/68
