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J-GLOBAL ID：200903041116965740
リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012814
Publication number (International publication number)：1993205989
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】工業的に使用できる高い量産性を持つ表面イメージング法からなるリソグラフィ法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】化学増幅系レジストの有する触媒物質生成機能と潜像形成機能という2つの機能を、触媒物質を生成する層と、この触媒物質の触媒反応を利用して潜像を形成する層とに分ける。【効果】高集積半導体装置の微細加工を高精度かつ高効率で実現できる。
Claim (excerpt)：
活性化学線の所定のパタン状照射に基づいて形成した潜像を現像してマスクパタンを形成し、該マスクパタンをマスクとするエッチング加工によって被エッチング加工層に上記所定パタンに対応するパタンを形成するリソグラフィ法において、上記潜像は上記活性化学線の照射により触媒物質生成層中に生成された触媒物質が潜像形成層に移動し該潜像形成層中で触媒反応を起こすことにより得られることを特徴とするリソグラフィ法。
IPC (4)：
H01L 21/027
, G03F 7/038 505
, G03F 7/039 501
, G03F 7/26 511
H01L 21/30 301 A
, H01L 21/30 331 E
