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J-GLOBAL ID：200903041124281427
半導体集積装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金山 敏彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147546
Publication number (International publication number)：1994069532
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】発光素子と光検出素子とが同一層上に形成されている集積装置を提供する。【構成】 半導体物質の基板表面上に形成された半導体物質から成る一対の互いに隔離された領域を含む集積半導体装置。第1領域16は発光装置であり、第2領域18は光検出装置である。各領域は、同一の半導体表面12上に形成され、光検出能動層である第1層20を共に有し、この第1層20上に、少なくとも一層が発光能動層である各層が積層されることによって形成されている。該他の各層の更に上に接点層が形成されるが、光検出装置として機能する第2領域18は、各層を貫いて光検出能動層20まで伸長した高導電性領域40を設けることによって形成される。このようにすることで、発光領域及び光検出領域双方が半導体物質の同一層上に形成される。
Claim (excerpt)：
一対の対向面を持つ一の導電型の高導電性半導体物質からなる基板と、基板の一表面上に形成されその一方が発光器をそして他方が光検出器をそれぞれ構成する一対の半導体物質から成り間隔を介した隔離領域とを含み、該両領域は、前記一の基板表面上に形成され、光子を電子及びホールへ変換するのに適切な組成から成る光検出能動層と、光検出能動層上に形成された第1ウィンドウ層と、前記第1ウィンドウ層上に形成され、光の発生及び放出に適した組成から構成された発光能動層と、前記発光能動層上に形成された第2ウィンドウ層と、前記光検出領域内に配置され、前記ウィンドウ層及び発光能動層を貫きまた若干光検出能動層内へ伸長した高導電性領域と、を備えたことを特徴とする半導体集積装置。
IPC (3)：
H01L 31/14
, H01L 27/15
, H01L 31/12
