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J-GLOBAL ID：200903041126494240

基板上に多層を形成する方法

Inventor： オーレリー・トジン ,  フィリップ・ジレ
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005304897
Publication number (International publication number)：2006121091
Application date： Oct. 19, 2005
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】 本発明は受け基板上に多層を形成する方法を提供することである。【解決手段】 第2の材料から成る支持基板の表面上に第1の材料層を備えた初期基板を形成する段階であって、第1の材料は第2の材料の蒸発温度よりも高い蒸発温度を有するところの段階と、結合構造を得るために、第1の材料層)を備えた初期基板の表面を受け基板の結合表面に分子付着結合する段階と、前記第2の材料の薄膜を前記第1の材料層上に残すために、初期基板を部分的に除去する段階と、第1の材料層上での選択的停止を伴って、第2の材料薄膜を蒸発する段階であって、該蒸発は第2の材料の蒸発温度より高いか又は等しい温度でかつ第1の材料の蒸発温度より低い温度で実施する蒸発段階と、受け基板に結合された第1の材料層から少なくとも一層を蒸発によって成長させる段階であって、この蒸発と成長段階とは同じ装置において実施するところの成長段階と、を備えた受け基板上に多層を形成する方法。【選択図】 図1F

Claim (excerpt)：

受け基板上に多層を形成する方法であって、以下の段階すなわち: -第2の材料から成る支持基板(3,23,53)の表面上に第1の材料層(2,22,52)を備えた初期基板(1,21,51)を形成する段階であって、第1の材料は第2の材料の蒸発温度よりも高い蒸発温度を有するところの段階と、 -結合構造を得るために、第1の材料層(2,22,52)を備えた初期基板(1,21,51)の表面を受け基板(8,28,58)の結合表面に分子付着結合する段階と、 -前記第2の材料の薄膜(3a,23a,53a)を前記第1の材料層(2,22,52)上に残すために、初期基板(1,21,51)を部分的に除去する段階と、 -第1の材料層(2,22,52)上での選択的停止を伴って、第2の材料薄膜(3a,23a,53a)を蒸発する段階であって、該蒸発は第2の材料の蒸発温度より高いか又は等しい温度でかつ第1の材料の蒸発温度より低い温度で実施する蒸発段階と、 -受け基板(8,28,58)に結合された第1の材料層(2,22,52)から少なくとも一層(10,11)を成長させる段階であって、この際に伴う蒸発と成長段階とは同じ装置において実施するところの成長段階と、 を備えた方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01S 5/183

FI (4)：

H01L21/20 ,  H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01S5/183

F-Term (31)：

5F152LL04 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN07 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ09 ,  5F173AC04 ,  5F173AC14 ,  5F173AH02 ,  5F173AH04 ,  5F173AH48 ,  5F173AL03 ,  5F173AL05 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AR82