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J-GLOBAL ID：200903041163999300

レジスト及びそのパターン形成方法

Inventor： 内野 正市 ,  右▲高▼ 園子 ,  上野 巧 ,  小野塚 利彦 ,  白井 精一郎 ,  森内 昇 ,  佐々木 守 ,  橋本 通晰 ,  林 伸明 ,  小島 恭子 ,  村井 二三夫 ,  田中 稔彦 ,  山本 治朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994076869
Publication number (International publication number)：1995239547
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 紫外線、電子線、X-線、その他放射線に優れた感度を有し、且つ高解像性を有するアルカリ水溶液現像可能なレジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 アルカリとの求核置換反応により撥水性を消失する官能基を有するか、またはアルカリとの反応により撥水性を消失する官能基を分子内に2個以上有する撥水性化合物と、放射線照射または放射線照射とその後の熱処理によりアルカリ水溶液の浸透性が変化する浸透性可変組成物を含むレジスト構成とする。【効果】 半導体デバイス、光ディスク、磁気ヘッド、磁気バブル素子等の製作に必要な微細パターン形成を、効率良く、且つ低コストで行える。

Claim (excerpt)：

アルカリとの求核置換反応により撥水性を消失する官能基を有する撥水性化合物と、放射線照射または放射線照射とその後の熱処理によりアルカリ水溶液の浸透性が変化する浸透性可変組成物を含むことを特徴とするレジスト。

IPC (3)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027