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J-GLOBAL ID：200903041175119713
半導体装置の製法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342281
Publication number (International publication number)：1993152362
Application date： Nov. 30, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【構成】 半導体素子4とリード1を、この半導体素子4およびリード1の外表面の少なくとも一部がポリイミドに被覆された状態で電気接続を行い、ついで上記リード付半導体素子を封止樹脂によって封止する半導体装置に製法であって、上記リード付半導体素子の樹脂封止に先立って、少なくともポリイミド部分をプラズマ処理するようにした。【効果】 プラズマ処理によって、封止樹脂に接するポリイミド表面が改質されて樹脂とのなじみ性が向上する。したがって、この方法によれば、ポリイミドと封止樹脂の境界面における両者の耐湿密着性に優れ、半田リフロー工程においてパッケージクラックを発生しにくい半導体装置を得ることができる。
Claim (excerpt)：
半導体素子とリードを、この半導体素子およびリードの外表面の少なくとも一部がポリイミドに被覆された状態で電気接続を行い、ついで上記リード付半導体素子を封止樹脂によつて封止する半導体装置の製法であって、上記リード付半導体素子の樹脂封止に先立って、少なくともポリイミド部分をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製法。
IPC (4)：
H01L 21/56
, H01L 21/312
, H01L 21/60 301
, H01L 23/50
