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J-GLOBAL ID：200903041179496090

酸化物薄膜の製造方法および装置

Inventor： 喜多 隆介 ,  長谷 隆司 ,  佐々木 正人 ,  森下 忠隆
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  シヤープ株式会社 ,  株式会社神戸製鋼所 ,  電源開発株式会社
Agent (1)： 山崎 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991169734
Publication number (International publication number)：1993017877
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶性および純度に優れた酸化物薄膜を、組成を正確に制御しつつ生産性良く作製する酸化物薄膜の製造方法および装置を提供する。【構成】 真空槽1内の圧力を1×10-9Torr以下に到達させた後、真空槽1内で所定の金属元素を基板3に蒸着して金属薄膜を形成する。続いて、カバー部材7を上昇させて受け部10に密着させる。これにより、真空槽1内に、上記基板3を囲んで密封する気密室を構成する。上記気密室の周りの真空度を保った状態で、ガス配管8を通して、上記気密室内にO2ガスを直接導入して、上記金属薄膜を酸化して酸化物薄膜を形成する。同時に、上記気密室内のガスをガス配管40を通して直接上記真空槽外へ排気する。

Claim (excerpt)：

真空槽内の圧力を1×10-9Torr以下に到達させた後、上記真空槽内で所定の金属元素を基板に蒸着して金属薄膜を形成し、続いて、上記真空槽内に、上記基板を囲んで密封する気密室を構成し、上記気密室の周りの真空度を保った状態で、上記気密室内に酸化性を有するガスを直接導入して上記金属薄膜を酸化して酸化物薄膜を形成するとともに、上記気密室内のガスを直接上記真空槽外へ排気することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/58 ,  C23C 8/12 ,  C23C 8/16