半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156247
Publication number (International publication number)：1996022945
Application date： Jul. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】化学増幅レジストを使用して微細なレジストパターンを形成する際に、解像度を向上することができるレジストパターン形成方法を提供する。【構成】処理対象基板を200°C以上で所定時間熱処理を行う加熱工程と、前記処理対象基板を室温まで冷却する工程と、前記処理対象基板表面に化学増幅レジストを塗布しレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定パターン領域を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記処理対象基板表面を所定の厚さエッチングする工程とを含む。

Claim (excerpt)：

処理対象基板を200°C以上で所定時間熱処理を行う加熱工程と、前記処理対象基板を室温まで冷却する工程と、前記処理対象基板表面に化学増幅レジストを塗布しレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定パターン領域を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記処理対象基板表面を所定の厚さエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/30 563 , H01L 21/30 565 , H01L 21/30 570

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジストパターンの形成方法及びレジスト塗布装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-254283 Applicant：富士通株式会社
特開昭55-018004
特開昭62-129846

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