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J-GLOBAL ID：200903041213256215

強誘電体キャパシタの作製方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法

Inventor： 青木 克裕 ,  福田 幸夫 ,  沼田 乾 ,  西村 明俊
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181358
Publication number (International publication number)：1998012832
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 (1)最適な電極物質の選定、(2)結晶成長方向の制御、及び(3)最適なアニール温度という重要な条件を全て満足し、分極疲労しない強誘電体キャパシタの製造を可能にする。【解決手段】 イリジウム下部電極13とPZT薄膜14との界面にTiOx 核付け層31を堆積させ、この酸化物が堆積した下部電極13上に、PZT薄膜14の特定構成元素(特に鉛)を過剰に含有する材料層32を形成し、前記特定構成元素を主体とする表面析出物(特に構造遷移層33)が実質的に消失する温度で加熱処理して、PZT薄膜14を形成するPZTキャパシタの作製方法。

Claim (excerpt)：

第1の電極上に強誘電体膜及び第2の電極が順次積層された強誘電体キャパシタを作製するに際し、イリジウムを主体とする電極材料によって前記第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極と前記強誘電体膜との界面に、前記強誘電体膜の構成元素のうちの少なくとも1種の元素の酸化物を堆積させる工程と、この酸化物が堆積した前記第1の電極上に、前記強誘電体膜の特定構成元素を過剰に含有する強誘電体膜材料層を形成する工程と、前記特定構成元素を主体とする表面析出物が実質的に消失する温度で加熱処理して、前記強誘電体膜を形成する工程とを有する、強誘電体キャパシタの作製方法。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371