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J-GLOBAL ID：200903041216302943
半導体記憶装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255354
Publication number (International publication number)：1993002873
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 外部から連続して供給される基本クロック信号に従って、メモリセルへのデータのアクセスを所定のアドレス指定を行なわず実行する。【構成】 複数のメモリセルから成る記憶セル群と、該メモリセルを指定する指定手段と、該指定手段により指定されたメモリセルへのデータの入出力を制御するデータ入出力手段と、基本クロック信号のサイクル数をカウントする計数手段と、外部から入力される少なくとも1つ以上の指定信号により基本クロック信号のサイクル数のカウント開始を計数手段へ指示し、このカウント開始時刻から指定信号により決定されるサイクル数が経過した時からメモリセルの読出しあるいは書込み動作を開始させる制御手段とから構成されている。【効果】 メモリセルへの高速なアクセス動作が可能となる。
Claim (excerpt)：
複数のメモリセルが行列状に配列されてなる記憶セル群と、前記記憶セル群におけるメモリセルの中から連続したアドレスが割付けられたメモリセルを順次指定してアクセス可能状態とする指定手段と、前記指定手段によって指定された連続するメモリセルに対する読出しあるいは書込み動作を外部から与えられる読出し/書込み信号に基づいて行なうデータ入出力手段と、外部から連続して与えられる基本クロック信号のサイクル数を実質的にカウントする計数手段と、少なくとも1以上の指定信号を外部から受けとり、それぞれの指定信号毎に基本クロック信号のカウント開始サイクルである特定のサイクルを指定する制御信号を出力し、該制御信号に基づいて前記計数手段に基本クロック信号のサイクル数のカウント開始を指令し、指定された特定サイクルから前記計数手段によってカウントされたサイクル数に基づいて、前記指定手段の指定動作及び前記データ入出力手段の読出し/書込み動作を制御することにより、基本クロック信号のサイクル数にしたがって前記メモリセルのアクセス動作を制御する制御手段と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
FI (2)：
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 362 H
