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J-GLOBAL ID：200903041221781493

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法

Inventor： 田 透 ,  岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305512
Publication number (International publication number)：1999139815
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 25, 1999
Summary：

【要約】【課題】 カボンナノチューブの片方、もしくは両端を基体上に電極に接合しカーボンナノチューブに電流を効率よく流すデバイス、カーボンナノチューブに流れる電流量を磁場で制御できるデバイスを提供する。【解決手段】 Fe,CoまたはNiを含有する触媒超微粒子がCu,Ag,AuまたはCrが主成分である材料に分散されている表面を有する基体を、エチレン、アセチレンまたは一酸化炭素ガスを原料ガスとして含む雰囲気中で400〜800°Cで加熱して原料ガスを熱分解することにより基体の表面からカーボンナノチューブを成長させてデバイスを得る。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブを用いたデバイスであって、少なくとも該カーボンナノチューブの片方が基体に接続してあり、かつその接合部分にFe,Co,Niのうち1種類以上からなる金属を含有する触媒超微粒子があり、該触媒超微粒子がCu,Ag,Au,Crのうち1種類以上からなる金属が主成分である材料に分散されていることを特徴とするカーボンナノチューブデバイス。

IPC (5)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 23/86 ,  B01J 23/89 ,  D01F 9/127 ,  H01B 1/04

FI (5)：

C01B 31/02 101 Z ,  B01J 23/86 M ,  B01J 23/89 M ,  D01F 9/127 ,  H01B 1/04