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J-GLOBAL ID：200903041223523530

プラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273140
Publication number (International publication number)：1995106316
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高周波アンテナを用いて低圧でプラズマを発生させそのプラズマにより処理を行うにあたって、プラズマを集中化させ、高い効率でプラズマ処理を行うこと。【構成】 気密構造のチャンバ2の上面外側に渦巻きコイルよりなる高周波アンテナ7を配置し、これに高周波電流を流してチャンバ2内に電磁界を形成してプラズマを発生させる。一方ウエハWの載置台3にセラミックなどの絶縁材よりなるフォーカスリング6を半導体ウエハWを囲むように配置し、その上面を内側から外側に向かって高くなるようにかつ外側がウエハW表面より高くなるように形成する。これによりプラズマの集中化を図れ、またウエハW周縁部におけるプラズマ下面の平坦性が高くなる。
Claim (excerpt)：
気密構造のチャンバ内に載置台を設け、前記チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりなる高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力を印加するための高周波電源部と、前記被処理体の周りに当該被処理体を取り囲むように設けられ、上面が被処理体の被処理面よりも高く設定されている絶縁体または高低抗体よりなるプラズマ集中リングと、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  H01Q 9/27 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開平3-079025
  • 特開平3-232226
  • 特開平3-179735
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