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J-GLOBAL ID：200903041241104293

半導体製造装置

Inventor： 村山 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 平木 祐輔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996081299
Publication number (International publication number)：1997275054
Application date： Apr. 03, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ガスボンベ等のガス供給部からの半導体製造装置にガス状不純物を含有しない高純度なガスを供給する。【解決手段】 ガス供給源20からの乾燥ガスを加湿してガス状不純物除去フィルター21に通し、そののち必要箇所、例えば露光装置の照明系部12に供給する。ガスの加湿は、ガス供給用配管25aの一部を水蒸気透過性配管26として周囲を密閉容器22で包囲し、ヒーター28で水を蒸発させて容器22内を高湿度とすることで実現する。湿度が加わることでガス状不純物除去フィルター21の性能が向上し、高純度のガスを露光装置の照明系部に供給することができる。

Claim (excerpt)：

半導体処理部と、前記半導体処理部にガスを供給するためのガス供給部を含む半導体製造装置において、前記ガス供給部は、ガス供給源と、ガスを加湿するための加湿手段と、前記加湿されたガスが流通するガス状不純物除去フィルターと、前記ガス供給源からのガスを前記加湿手段及び前記ガス状不純物除去手段を通して前記半導体処理部に供給するガス供給用配管を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4)：

H01L 21/30 503 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/30 516 F