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J-GLOBAL ID：200903041245002908

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 伊藤 仁 ,  奈良 明子 ,  長嶺 真
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068830
Publication number (International publication number)：1997237785
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】高段差被覆性、低誘電率かつ低吸湿性の層間絶縁膜を提供すること。【解決手段】層間絶縁膜203として、シリコン、酸素、炭素および水素の化合物からなり、かつ室温で粘性を有し、粘度が100cps以上300000cps以下の絶縁膜を用いる。

Claim (excerpt)：

シリコン、酸素、炭素および水素の化合物からなり、かつ炭素の含有率がシリコンの含有率よりも大きい絶縁膜が、層間絶縁膜および保護絶縁膜の少なくとも一方に用いられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95