フォトマスクおよび半導体装置製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993082199
Publication number (International publication number)：1994295054
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【構成】ウエハー上のICをそれぞれのチップに分離するスクライブ領域を有するレチクルマスクにおいて、レチクルマスク上の最外周スクライブ領域で天側地側のいずれか、および、左側右側のいずれかのスクライブ領域の幅が、スクライブTEGの幅以上であるスクライブ領域を有するフォトマスク。および、スクライブ上のTEGのPAD開孔部の並び方向を全て同一にする半導体製造方法。【効果】レチクルマスクの最外周のスクライブ上にTEGを描画してもウエハー上でショットのズレによるTEGが形成されずに正確な値を測定する事ができる。また、レチクルマスク上のTEGを描画する領域が増加し、全てのTEGのPAD開孔部の並びの方向を同一にする事ができる。従って、測定装置の測定端子は垂直あるいは水平に設置するだけで全てのTEGの特性を測定する事ができ、測定装置の測定端子の変更が不要となりICの製造納期を短縮する事が可能となる。

Claim (excerpt)：

ウエハー上のパターンサイズの数倍の大きさに拡大投影された形状で作成されるフォトマスク上に描画される、ウエハー上の半導体装置をそれぞれのチップに分離するスクライブ領域を有するフォトマスクにおいて、前記フォトマスク上の最外周スクライブ領域で天側地側のいずれか、および、左側右側のいずれかのスクライブ領域の幅が、スクライブ領域に描画される特性測定用素子群の幅以上である前記特性測定用素子群領域を有する事を特徴とするフォトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-197949
特開昭59-144125
特開平3-197949

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