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J-GLOBAL ID：200903041254637290
フォトマスク欠損欠陥修正法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145328
Publication number (International publication number)：1993341500
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 修正部位の局部的な屈折率の変化、変質、クラックの発生がなく、かつ、位相シフトフォトマスクの遮光膜、ハーフトーン遮光膜の欠損欠陥修正への適用が可能なフォトマスク欠損欠陥修正法。【構成】 金属クロム又はクロム化合物を遮光膜2として用いたフォトマスク4の遮光膜2の欠損欠陥3の修正法であり、フォトマスク4を予め加熱し、あるいは、加熱を施さないで、その遮光膜3の欠損欠陥箇所3に電子線8を照射し、欠損欠陥箇所3のみを帯電9させ、次に、このように局所的に帯電させたフォトマスク4を加熱するか又は紫外光照射しながら、金属クロム又はクロム化合物の気相成長気体又はミスト12を導入して、欠損欠陥箇所3のみにクロム又はクロム化合物を選択的に気相成長13させる。
Claim (excerpt)：
金属クロム又はクロム化合物を遮光膜として用いたフォトマスクの遮光膜の欠損欠陥修正法において、フォトマスクを予め加熱し、あるいは、加熱を施さないで、その遮光膜の欠損欠陥箇所に電子線を照射し、欠損欠陥箇所のみを帯電させ、次に、このように局所的に帯電させたフォトマスクを加熱するか又は紫外光照射しながら、金属クロム又はクロム化合物の気相成長気体又はミストを導入して、欠損欠陥箇所のみにクロム又はクロム化合物を選択的に気相成長させることを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, C23F 1/00 102
, H01L 21/027
