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J-GLOBAL ID：200903041265549466

半導体装置の製造方法

Inventor： 山本 栄一 ,  池田 浩一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332827
Publication number (International publication number)：1998163205
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 パタンルールとその粗密度、チップの大小に影響されない平坦化手法を提供することであり、かつローコスト、高歩留まりの技術を開発すること。【解決手段】 機械化学研磨法(CMP)を用いて基板上に形成した半導体装置の配線層を平坦化する半導体装置の製造方法において、基板上に形成した配線パタンの密集度に応じて、前記配線パタン上に形成する埋め込み絶縁層の膜厚を変えること。

Claim (excerpt)：

機械化学研磨法(CMP)を用いて基板上に形成した半導体装置の配線層を平坦化する半導体装置の製造方法において、基板上に形成した配線パタンの密集度に応じて、前記配線パタン上に形成する埋め込み絶縁層の膜厚を変えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 S