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J-GLOBAL ID：200903041283178092

配向制御した多層薄膜とその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  鈴木 孝明 ,  大石 知司 ,  前田 邦裕 ,  高橋 研
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996172045
Publication number (International publication number)：1998017395
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】無配向な下地基板上に格子定数の不整合が2%以上の物質の組み合わせにおいて、特定の面方位で配向した多層薄膜を提供することを目的とする。【解決手段】多層薄膜の形成において、イオンビーム,レーザ光,X線を基板表面に対して照射角度30〜60度の範囲で照射することで原子の配列を行い、その結果配向性を制御した高品質な強誘電体素子,あるいは高誘電体素子,高温超電導線材として活用することができる。【効果】読み出しおよび書き込みを検出する高集積度な強誘電体素子、あるいは高誘電体素子と液体窒素作動の高温超電導マグネットを実現できること。

Claim (excerpt)：

無配向な基板上に形成される格子定数の不整合が2%以上の2種以上の物質の組み合わせによる多層薄膜において、前記物質が特定の面方位で配向していることを特徴とする配向制御した多層薄膜。

IPC (19)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/16 ,  H01F 6/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01L 21/205

FI (16)：

C30B 29/22 501 N ,  C30B 23/08 M ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 21/205 ,  H01F 7/22 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371