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J-GLOBAL ID：200903041292165033

半導体装置

Inventor： 遠藤 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994204085
Publication number (International publication number)：1996070041
Application date： Aug. 30, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 フッ素含有ポリイミドを層間絶縁膜に用いて半導体装置の配線浮遊容量を低減させ、なおかつフッ素が含有されたことに起因するポリイミド絶縁膜の密着性の低下を防止する。【構成】 フッ素の含有されていない通常のポリイミドを形成後、ポリイミド表面にフッ素ラジカルを照射し、ポリイミド中にフッ素ラジカルを拡散させて含フッ素ポリイミドを形成するとともに、基板温度、処理時間を制御して、ポリイミド中のフッ素含有量に深さ方向の分布を設け、ポリイミドと下地との界面にフッ素を含有させないことによって、フッ素含有ポリイミドと下地との密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

多層配線層間絶縁膜としてフッ素を含むポリイミド膜を用い、前記ポリイミド膜中のフッ素含有量に深さ方向の分布を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-104129
  
• 特開昭58-046652