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J-GLOBAL ID：200903041292210853

面発光半導体レーザ

Inventor： 田所 貴志 ,  須郷 満 ,  伊藤 義夫 ,  小濱 剛孝 ,  黒川 隆志 ,  森 英史
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329837
Publication number (International publication number)：1993145195
Application date： Nov. 19, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板として単結晶Siを用い、この単結晶Si上に面発光レーザとレーザ駆動用回路を一体に配置して、大規模二次元集積光源を得る。【構成】 単結晶Siの半導体基板1上に、GaAs等のバッファ層2,単結晶InP4及び単結晶InxGa1-xAsyP1-y5からなる半導体多層膜の光反射層3,キャリアを閉じ込めて再結合発光させる発光層6,上部光反射層9が、それらの順に積層された面発光レーザを構成する。また、この面発光レーザを積層形成した単結晶Si基板1上に、トランジスタ等のレーザ駆動用電子回路を一体に形成した構成とする。これによって、単結晶Siと単結晶InPとの間の格子不整合を、単結晶InP4と単結晶InxGa1-xAsyP1-y5の多層膜により、緩和できる。

Claim (excerpt)：

光を半導体結晶面に対して垂直方向に出射させる面発光半導体レーザにおいて、半導体基板として単結晶Siを用い、この単結晶Si上に、バッファ層,単結晶InP及び単結晶InxGa1-xAsyP1-yからなる半導体多層膜反射鏡,キャリアを閉じ込めて再結合発光させる発光層,上部反射鏡が、それらの順に積層して形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00