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J-GLOBAL ID：200903041292808902

半導体基板の平坦化方法

Inventor： 金 忠煥
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117092
Publication number (International publication number)：1994029287
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ボイドを形成せず半導体基板に形成された絶縁膜を平坦化する方法を提供する。【構成】 金属配線層12が形成された半導体基板11上に絶縁膜13を形成し、絶縁膜上にセクリフィシャル層14を形成し、前記セクリフィシャル層をエッチングし、金属配線層間の絶縁膜上に残留セクリフィシャル15を形成し、絶縁膜を等方性エッチングし、前記残留セクリフィシャルおよび前記絶縁膜を異方性エッチングする段階を含む半導体基板の平坦化方法。【効果】 第2金属配線工程やリソグラフィー工程を容易に遂行できる。

Claim (excerpt)：

(a)金属配線層が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成し、(b)前記絶縁膜にセクリフィシャル層を形成し、(c)前記セクリフィシャル層をエッチングし、金属配線層間の前記絶縁膜上に残留セクリフィシャルを形成し、(d)前記絶縁膜を等方性エッチングし、(e)前記残留セクリフィシャルおよび前記絶縁膜を異方性エッチングする段階を含む半導体基板の平坦化方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-216329
  
• 特開昭58-216443