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J-GLOBAL ID：200903041312431177

プラズマ処理装置

Inventor： 津 上 芳 三
Applicant, Patent owner： 芝浦メカトロニクス株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999210874
Publication number (International publication number)：2001044175
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 放電の安定化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 放電管6の内部にプロセスガスGを導入し、マイクロ波導波管10を介して導かれたマイクロ波Mを放電管6の内部のプロセスガスGに照射し、放電管6の内部にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物3を処理する装置であり、マイクロ波導波管10には、放電管6の内部に向けてマイクロ波Mを放射するためのスリット12を有する。スリット12は、マイクロ波導波管10の管軸方向に沿って細長状に形成されており、スリット12の長手方向の長さとマイクロ波導波管10内でのマイクロ波Mの半波長の長さとが略等しくなるようにマイクロ波導波管10の寸法及びスリット12の長手方向の長さを設定し、スリット直近で生成されるプラズマの発生を一カ所にする。

Claim (excerpt)：

放電管の内部にプロセスガスを導入し、マイクロ波導波管を介して導かれたマイクロ波を前記放電管の内部のプロセスガスに照射し、前記放電管の内部にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導波管には、前記放電管の内部に向けてマイクロ波を放射するためのスリットを有し、前記スリットは、前記マイクロ波導波管の管軸方向に沿って細長状に形成されており、前記スリットの長手方向の長さと前記マイクロ波導波管内でのマイクロ波の半波長の長さとが略等しくなるように前記マイクロ波導波管の寸法及び前記スリットの長手方向の長さを設定し、スリット直近で生成されるプラズマの発生を一カ所にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B

F-Term (18)：

4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE20 ,  4K057DK03 ,  4K057DM02 ,  4K057DM29 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26