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J-GLOBAL ID：200903041322915067

半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 武田 勝利
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002361694
Publication number (International publication number)：2004193446
Application date： Dec. 13, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】良好な電気的特性を有するとともに製造プロセスの簡略化と低コスト化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、基板1の上に、実質的に不純物を含まないZnOからなる半導体層2を形成する工程と、半導体層2の上に実質的に不純物を含まないZnOからなるゲート絶縁層4を形成する工程とを備えている。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

実質的に不純物を含まないZnOからなる半導体層を形成する工程と、 実質的に不純物を含まないZnOからなる絶縁層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

FI (9)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 617M

F-Term (38)：

5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF14 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ10 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR08 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ09