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J-GLOBAL ID：200903041324747919

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 足達 廣士 ,  足立 悦志 ,  南 伸太朗 ,  小谷 秀夫 ,  林出 吉生 ,  堤 聡明 ,  松浦 正純 ,  石井 敦司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245673
Publication number (International publication number)：1993074963
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 第1、第2金属配線をコンタクトするタングステンをCVD法により上記両配線間の層間絶縁膜に開けられた孔に埋め込み形成する際に、いかなる条件下でも層間絶縁膜上には成長せず、コンタクト孔にのみタングステンを埋め込め、そのため電気抵抗が低いタングステンのCVD条件を選ぶことができる、信頼性が高く、生産性の良い半導体装置及びその製造方法を得る。【構成】 第1、第2の金属配線層3、8間に介在する層間絶縁膜の少なくとも最上層5bをシリコーンラダーポリマーの硬化膜とする。また、層間絶縁膜のマスク材9としてシリコーンラダーポリマー膜を用いてタングステンをCVD法により孔に埋め込む。

Claim (excerpt)：

素子が形成された半導体基板、この半導体基板上に形成された絶縁膜、この絶縁膜上に形成される第1、第2の金属配線、この第1、第2の金属配線間に介在して形成される層間絶縁膜、及びCVD法によって上記層間絶縁膜に開けられたコンタクト孔中に埋め込んで形成され、上記第1、第2の金属配線同士を電気的に接続する金属層を備える半導体装置において,上記層間絶縁膜の少なくとも最上層部が樹脂膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301