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J-GLOBAL ID：200903041345393564

半導体の封止方法

Inventor： 山村 勲 ,  北村 正樹 ,  稲垣 彰宏
Applicant, Patent owner： 日本ペルノックス株式会社 ,  ジェネラル・インストゥルメント・オブ・タイワン・リミテッド
Agent (1)： 津国 肇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996048856
Publication number (International publication number)：1997246435
Application date： Mar. 06, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 (A)液状エポキシ樹脂またはエポキシ樹脂含有硬化性液状混合物、(B)無機質充填剤、(C)芳香環からのα位の炭素原子にヘテロ原子を有するオニウムのヘキサフルオロリン酸塩またはテトラフルオロホウ酸塩および(D)内部離型剤を含む硬化性エポキシ樹脂組成物に半導体を封入して成形し、加熱することを特徴とするエポキシ樹脂による半導体の封止方法;および封止された半導体部品。【解決手段】 短い硬化時間と成形サイクルにより、タブレット化の必要がなく、効率よく、かつ物質収支よく半導体の封止ができる。硬化の際の発熱が少なく、劣化や発泡を起こさない。用いられる触媒は重金属原子を含まない。

Claim (excerpt)：

(A)液状エポキシ樹脂、またはエポキシ樹脂と希釈剤とからなる硬化性液状混合物;(B)無機質充填剤;(C)一般式:【化1】(式中、EはS、NまたはPを表し;ZはPF6 またはBF4 を表し;Arは芳香環を表し;R1 はaが2のとき互いに同一または異なって、置換もしくは非置換の1価の炭化水素基、水酸基、アルコキシル基、ニトロ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し;R2 およびR3 はそれぞれ水素原子またはメチル基を表し;R4 は互いに同一または異なって、置換または非置換の1価の炭化水素基を表し;R5 は置換または非置換のピリジニウム基を表し;aは0〜2の数、bはEがSのとき2、EがNまたはPのとき3である)で示されるオニウム塩化合物;ならびに(D)内部離型剤を含み、硬化剤を実質的に含まない硬化性エポキシ樹脂組成物に半導体を封入して成形し、加熱によって硬化させることを特徴とする半導体の封止方法。

IPC (10)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29C 33/58 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  C08G 59/68 NKL ,  C08L 63/00 NKT ,  C08L 63/00 NKY ,  B29K 63:00 ,  B29L 31:34

FI (7)：

H01L 23/30 R ,  B29C 33/58 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  C08G 59/68 NKL ,  C08L 63/00 NKT ,  C08L 63/00 NKY