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J-GLOBAL ID：200903041359317348

半導体装置

Inventor： 竹田 敏郎 ,  番場 敏夫 ,  平野 孝 ,  竹田 直滋
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138593
Publication number (International publication number)：1997321038
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 封止樹脂との密着性に優れるポジ型感光性樹脂を用いて半導体素子上に高残膜率のポリベンゾオキサゾール樹脂のパターンを形成する半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子上に厚さ0.1〜20μmの下記の一般式(I)で示されるポリベンゾオキサゾール樹脂が形成されていることを特徴とする半導体装置。【化1】

Claim (excerpt)：

半導体素子上に厚さ0.1〜20μmの一般式(I)で示されるポリベンゾオキサゾール樹脂が形成されていることを特徴とする半導体装置。【化1】

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/22 NTR ,  G03F 7/023 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (5)：

H01L 21/312 D ,  C08G 73/22 NTR ,  G03F 7/023 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ポジ型感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253147   Applicant：住友ベークライト株式会社