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J-GLOBAL ID：200903041361737710
薄膜インダクタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991254599
Publication number (International publication number)：1993067526
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【構成】 Ni-Znフェライトからなる磁性基板2に接してコイル導体膜5を有し、このコイル導体膜5上に、絶縁膜4および磁性膜3を順次有し、磁性膜3が磁性基板2と閉磁路を構成している。【効果】 インダクタンスが大きく、Qが高い。また、浮遊容量が低減されるため共振周波数が高くなり、使用周波数帯域が拡がる。
Claim (excerpt)：
磁性基板上に、この磁性基板と接してコイル導体膜を有し、このコイル導体膜上に絶縁膜を有することを特徴とする薄膜インダクタ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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