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J-GLOBAL ID：200903041366833076

気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法

Inventor： 柊元 宏 ,  渡部 信一 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216660
Publication number (International publication number)：1995074108
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ジメチル亜鉛2.5μmol/min、ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)マグネシウム3.5μmol/min、ジメチルセレン12μmol/min、ジメチル硫黄60μmol/minの割合の混合ガスを反応室内に約1時間供給し、約470°CのGaAs基板に、厚さ0.8μmのZnMgSSe混晶を成長させた。【効果】 ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)マグネシウムは、室温で液体であり、従来のマグネシウム原料よりも低温でガス化ができる。したがって、成長の制御が容易となり、得られる化合物半導体の品質も安定する。また、気相成長装置の設計が制限を受けず、設計の自由度が向上する。

Claim (excerpt)：

ビス(置換シクロペンタジエニル)マグネシウムを主成分とする気相成長用マグネシウム原料。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/365

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-188821
  
• 特開平2-221192
  
• II-VI族化合物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-269401   Applicant：ソニー株式会社