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J-GLOBAL ID：200903041368966928

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  前田 一彦 ,  小森谷 治彦 ,  大谷 充孝
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005155343
Publication number (International publication number)：2006328259
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【解決手段】 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。 【化1】(式中、R1はフッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化アルキル基を示す。R2は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。R3は酸不安定基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、ArF露光において優れた解像性、小さいラインエッジラフネス、優れたエッチング耐性、特に、エッチング後の表面ラフネスが小さい特性を有している。また、投影レンズとウエハー間に液体を挿入して露光を行うArF液浸リソグラフィーでも同様の高い性能を発揮できる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。

IPC (4)：

C08F 20/22 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (4)：

C08F20/22 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (36)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  4J100AE09R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BB12Q ,  4J100BB12R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063775   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号パンフレット
  
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-312722   Applicant：富士通株式会社
• ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188853   Applicant：日本電気株式会社
• 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-255167   Applicant：信越化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-296000   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-393302   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-158304   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-173560   Applicant：富士写真フイルム株式会社